我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術
來源：環球時報 時間：2024-09-19 18:34
近日，國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心暨國家電力投資集團公司下屬核力創芯（無錫）科技有限公司完成首批高能氫離子注入芯片產品交付，產品各項性能指標達到國際先進水平，標志著我國全面掌握功率芯片高能氫離子注入技術，打通了我國功率芯片產業鏈關鍵一環。
目前，該研發中心在江蘇無錫建設的國內首條功率芯片高能氫離子注入生產線已建成投運。項目團隊以2年時間集智攻關，突破多項關鍵核心技術，完成自主研制的氫離子注入專用加速器調試出束，實現100%技術自主和裝備零部件國產化，并完成首批800片芯片交付。
據介紹，功率芯片是現代電力電子設備的核心部分，廣泛應用于軍工、新能源、航空航天、軌道交通、特高壓輸變電等領域。光刻、刻蝕和離子注入是芯片制造三大關鍵環節，其中氫離子注入是實現離子注入的高精尖技術，對于提高電力電子設備性能、效率和可靠性至關重要。此前，由于我國氫離子注入核心技術及裝備缺失，國產功率芯片可靠性難以突破，一度成為制約我國功率芯片產業高端化發展的關鍵"卡脖子"問題。國家原子能機構充分發揮核技術優勢，瞄準功率芯片氫離子注入關鍵技術，依托涉核企事業單位在加速器、材料輻照等核領域技術優勢，積極賦能功率芯片研制，助力產業轉型升級，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。
責任編輯：余璇
